Resumen

Se han investigado las propiedades de transporte y almacenamiento de una película delgada de dióxido de titanio (TiO2) sobre silicio cristalino (c-Si) sintetizada por sol-gel, mediante la técnica de recubrimiento por inmersión, por medio de análisis de corriente-voltaje (I-V) y admitancia en diferentes ambientes. Teniendo en cuenta la función de trabajo de la película de TiO2 anatasa, determinada por los análisis FTIR y TG/DTA, se eligió la plata (Ag) como electrodo metálico frontal para obstaculizar una barrera para los portadores de carga. El análisis eléctrico implicó que la estructura Ag/TiO2/c-Si estaba constituida en realidad por la estructura Ag/TiO2/dióxido de silicio nativo (SiO2)/c-Si [SIS], en la que la capa de SiO2 fue identificada por el análisis FTIR. En consecuencia, las características eléctricas de la película se interpretaron en términos de diodo SIS que es capaz de explicar las características C-V.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:técnicas de recubrimiento por inmersión, electrodo metálico frontal, tio2, película de tio2 anatasa, propiedad del sol, dióxido de silicio nativo, términos de si, función de la anatasa, propiedad de almacenamiento, ag
• Keywords:dip coating techniques, front metal electrode, tio2, anatase tio2 film, property of sol, native silicon dioxide, terms of si, function of anatase, storage property, ag