En las células solares de heterounión, la heterointerfaz a-Si:H/c-Si es de gran importancia, ya que las características de la heterointerfaz afectan directamente a las propiedades de la unión y, por tanto, a la eficiencia de la célula solar. En este estudio, hemos realizado medidas de conductividad por microondas resueltas en el tiempo (TRMC) en obleas de c-Si tipo n pasivadas por ambas caras con capas intrínsecas y dopadas de a-Si:H con el fin de investigar las propiedades eléctricas y la calidad de la pasivación de las heterouniones a-Si:H/c-Si. Se observó que el tiempo de decaimiento de la TRMC y la forma de la curva de decaimiento variaban con la longitud de onda del láser y la intensidad de la potencia, y también dependían de las estructuras de las muestras. Al utilizar un pulso láser de 1064 nm con alta excitación, se observaron diferencias en la forma de la curva de decaimiento entre las muestras con y sin unión p-n. Las muestras que contenían uniones p-n presentaban un modo de decaimiento lento único, tras el decaimiento rápido inicial, que atribuimos a la liberación de portadores desde la capa amorfa de baja movilidad hacia la oblea cristalina de alta movilidad a medida que se restablecía el campo incorporado de la unión. Los resultados experimentales sugieren que la TRMC es una técnica no destructiva útil y adecuada para la comprobación primaria de las heterouniones a-Si:H/c-Si durante el proceso de fabricación de células solares.
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