En este artículo se analizan una serie de problemas importantes pero poco investigados relacionados con la heteroestructura III-V/Ge en las células solares multiunión GaInP/GaInAs/Ge crecidas mediante MOVPE. Se ha demostrado la oportunidad de aplicar con éxito la combinación de los métodos de espectroscopia de reflectancia y anisotropía de reflectancia in situ para investigar el crecimiento de la estructura III-V sobre un sustrato de Ge. Se han investigado las propiedades fotovoltaicas de la subcelda de banda estrecha III-V/Ge de las células solares de triple unión. Se ha demostrado que existen corrientes de exceso en las uniones p-n fotovoltaicas de Ge, y que tienen el carácter de túnel o termotúnel. Se han determinado los valores de los parámetros del diodo para estos mecanismos de flujo de corriente. Se ha determinado la barrera de potencial en la interfase III-V/Ge y se ha sugerido el origen de la formación de esta barrera durante el heterocrecimiento MOVPE.
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