Resumen

En este artículo se analizan una serie de problemas importantes pero poco investigados relacionados con la heteroestructura III-V/Ge en las células solares multiunión GaInP/GaInAs/Ge crecidas mediante MOVPE. Se ha demostrado la oportunidad de aplicar con éxito la combinación de los métodos de espectroscopia de reflectancia y anisotropía de reflectancia in situ para investigar el crecimiento de la estructura III-V sobre un sustrato de Ge. Se han investigado las propiedades fotovoltaicas de la subcelda de banda estrecha III-V/Ge de las células solares de triple unión. Se ha demostrado que existen corrientes de exceso en las uniones p-n fotovoltaicas de Ge, y que tienen el carácter de túnel o termotúnel. Se han determinado los valores de los parámetros del diodo para estos mecanismos de flujo de corriente. Se ha determinado la barrera de potencial en la interfase III-V/Ge y se ha sugerido el origen de la formación de esta barrera durante el heterocrecimiento MOVPE.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:iii, células solares, crecimiento de estructuras v, mecanismos de flujo de corriente, reflectancia, heteroestructura ge, interfaz ge, multiunión ge, sustrato ge, heterocrecimiento movpe
• Keywords:iii, solar cells, v structure growth, current flow mechanisms, reflectance, ge heterostructure, ge interface, ge multijunction, ge substrate, movpe heterogrowth