Resumen

Los nanopatrones lineales se producen en la fotorresistencia positiva mediante microscopio óptico de barrido de campo cercano (SNOM). Se ha empleado un diodo láser con una longitud de onda de 450 nm y una potencia de 250 mW como fuente de luz y una nanosonda recubierta de aluminio con una apertura de 70 nm en el vértice de la punta. Se ha utilizado un filtro de densidad neutra para controlar la potencia de exposición de la fotorresistencia. Se ha comprobado que los cambios inducidos por la luz en la fotorresistencia pueden detectarse mediante microscopía de fuerza cortante in situ (ShFM), antes del desarrollo de la fotorresistencia. Se han utilizado imágenes de microscopio electrónico de barrido (SEM) de la fotorresistencia desarrollada para optimizar la velocidad de barrido y la potencia necesaria para la exposición, con el fin de minimizar la anchura final de la línea. Se demuestra que se pueden conseguir líneas nanométricas con una anchura mínima de 33 nm con una velocidad de barrido de 75 µm/s y una potencia láser de 113 mW. También se revela que la sobreexposición de la fotorresistencia por el calor generado por el láser de onda continua puede evitarse mediante una selección adecuada de la fotorresistencia. Además, se investigan los efectos de las exposiciones múltiples de los nanopatrones sobre su anchura y profundidad.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:fotorresistencia, microscopía de fuerza de cizallamiento in situ, láser de onda continua, anchura final de línea, filtro de densidad neutra, selección adecuada de fotorresistencia, potencia, velocidad, nanopatrones de línea, nanosonda recubierta
• Keywords:photoresist, situ shear force microscopy, continuous wave laser, final line width, neutral density filter, proper photoresist selection, power, speed, line nanopatterns, coated nanoprobe