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Characterizations of InN Thin Films Grown on Si (110) Substrate by Reactive SputteringCaracterización de películas delgadas de InN crecidas sobre sustrato de Si (110) mediante pulverización catódica reactiva

Resumen

Se depositaron películas delgadas de nitruro de indio (InN) sobre Si (110) mediante sputtering reactivo y blanco de In puro a temperatura ambiente. Los efectos de la mezcla gaseosa Ar-N2 en las propiedades estructurales de las películas se investigaron mediante microscopio electrónico de barrido, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva, microscopia de fuerza atómica y técnicas de difracción de rayos X. Las propiedades ópticas de las capas de InN se examinaron por micro-Raman y Fourier. Las propiedades ópticas de las capas de InN se examinaron mediante espectroscopia de reflectancia micro-Raman e infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) a temperatura ambiente. El análisis estructural especificó una estructura nanocristalina con un tamaño de cristal de 15,87 nm, 16,65 nm y 41,64 nm para las películas de InN crecidas a N2 :Ar de 100 :0, 75 : 25 y 50 :50, respectivamente. Los espectros Raman indican picos bien definidos en 578, 583 y 583 cm-1, que corresponden al fonón A1(LO) de las películas hexagonales de InN crecidas con relaciones de gas de 100 : 0, 75 : 25 y 50 : 50, respectivamente:0, 75 : 25 y 50 :50 N2 :Ar, respectivamente. Los resultados de la espectroscopia FTIR muestran el modo del fonón TO [E1(TO)] claramente visible del InN en 479 cm-1 sólo para las películas que se depositaron a 50 :50 N2 :Ar. Los resultados de la difracción de rayos X indican que las capas están formadas por nanocristales de InN. La mayor intensidad del pico InN (101) y las mejores películas nanocristalinas de InN se observan en las condiciones de deposición con N2 :Ar de 50 :50.

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