Se depositaron películas delgadas de nitruro de indio (InN) sobre Si (110) mediante sputtering reactivo y blanco de In puro a temperatura ambiente. Los efectos de la mezcla gaseosa Ar-N2 en las propiedades estructurales de las películas se investigaron mediante microscopio electrónico de barrido, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva, microscopia de fuerza atómica y técnicas de difracción de rayos X. Las propiedades ópticas de las capas de InN se examinaron por micro-Raman y Fourier. Las propiedades ópticas de las capas de InN se examinaron mediante espectroscopia de reflectancia micro-Raman e infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) a temperatura ambiente. El análisis estructural especificó una estructura nanocristalina con un tamaño de cristal de 15,87 nm, 16,65 nm y 41,64 nm para las películas de InN crecidas a N2 :Ar de 100 :0, 75 : 25 y 50 :50, respectivamente. Los espectros Raman indican picos bien definidos en 578, 583 y 583 cm-1, que corresponden al fonón A1(LO) de las películas hexagonales de InN crecidas con relaciones de gas de 100 : 0, 75 : 25 y 50 : 50, respectivamente:0, 75 : 25 y 50 :50 N2 :Ar, respectivamente. Los resultados de la espectroscopia FTIR muestran el modo del fonón TO [E1(TO)] claramente visible del InN en 479 cm-1 sólo para las películas que se depositaron a 50 :50 N2 :Ar. Los resultados de la difracción de rayos X indican que las capas están formadas por nanocristales de InN. La mayor intensidad del pico InN (101) y las mejores películas nanocristalinas de InN se observan en las condiciones de deposición con N2 :Ar de 50 :50.
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