Resumen

Se investigan la estructura cristalina y las propiedades optoeléctricas de láminas delgadas de monóxido de estaño dopado con plata con diferentes concentraciones de dopante preparadas mediante pulverización catódica por magnetrón DC. Los patrones de difracción de rayos X revelan que la fase tetragonal de SnO presenta orientaciones preferentes a lo largo de los planos (101) y (110). Nuestros resultados indican que la sustitución de Sn2 en la red de SnO por iones de Ag produce cristalitos de menor tamaño, lo que puede dar lugar a una mayor dispersión de portadores en los límites de grano. Esto provoca un deterioro en la movilidad de los portadores, a pesar de que la concentración de portadores mejora en dos órdenes de magnitud debido al dopado. Además, las películas delgadas de SnO dopadas con Ag muestran un comportamiento de semiconductor tipo p, con un hueco óptico directo y una transmitancia decreciente con el aumento de la concentración de dopante Ag.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:películas delgadas, diferentes concentraciones de dopante, brecha óptica directa, patrones de difracción de rayos, fase sno tetragonal, comportamiento semiconductor tipo, iones ag, estructura cristalina, magnetrón dc, red sno
• Keywords:thin films, different dopant concentrations, direct optical gap, ray diffraction patterns, tetragonal sno phase, type semiconductor behavior, ag+ ions, crystalline structure, dc magnetron, sno lattice