Resumen

Las películas delgadas de silicio-germanio nanocristalino (nc-SiGe) se depositaron mediante deposición química en fase vapor mejorada con plasma de alta frecuencia (27,12 MHz) (HF-PECVD). Las películas se utilizaron en una célula solar de película delgada basada en silicio con capa de absorción gradualmente muerta. La caracterización de las películas nc-SiGe se analiza mediante microscopía electrónica de barrido, espectroscopía UV-visible y espectroscopía de absorción infrarroja por transformada de Fourier. La brecha de banda de la aleación SiGe puede ajustarse entre 0,8 y 1,7 eV variando la proporción de gas. Para la aplicación de células solares de película delgada, el uso de capas de i-SiGe de doble gradación conduce principalmente a un aumento de la corriente de cortocircuito y, por tanto, de la eficiencia de conversión de la célula. La eficiencia de conversión inicial de 5,06 y una eficiencia estabilizada de 4,63 en una célula solar nc-SiGe.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:célula solar, película delgada, eficiencia de conversión de la célula, deposición química de vapor, capa de absorción muerta, espectroscopia de absorción infrarroja, eficiencia de conversión inicial, aplicación de la célula solar, sige, aleación sige
• Keywords:solar cell, thin film, cell conversion efficiency, chemical vapor deposition, dead absorption layer, infrared absorption spectroscopy, initial conversion efficiency, solar cell application, sige, sige alloy