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Artículo

Electrical Characterization of Nanopolyaniline/Porous Silicon Heterojunction at High TemperaturesCaracterización eléctrica de la heterounión nanopolianilina/silicio poroso a altas temperaturas

Resumen

Se fabricaron químicamente películas de heterounión de nanopolianilina/silicio poroso tipo P (NPANI/PSi) mediante polimerización in situ. La composición y morfología del nanopolímero se confirmaron mediante técnicas de infrarrojo por transformada de Fourier, microscopía electrónica de barrido, UV-visible y microscopía electrónica de transmisión. Los resultados indicaron que la polimerización tuvo lugar en toda la capa porosa. Las medidas I-V, realizadas a diferentes temperaturas, permitieron calcular el factor de idealidad, la altura de barrera y la resistencia en serie de dichas películas. El factor de idealidad obtenido mostró un comportamiento de diodo no ideal. Se observó que la resistencia en serie disminuía al aumentar la temperatura.

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