Resumen

Presentamos un informe sobre el crecimiento de nanoestructuras de ZnO sobre sustrato de silicio de tipo n utilizando la técnica de deposición por láser pulsado a temperaturas de sustrato que oscilan entre la temperatura ambiente y 600°C durante una hora. Observamos estructuras en forma de varilla y de alambre con diferentes dimensiones a temperatura ambiente, 150°C y 450°C, y sólo estructuras en forma de alambre a 300°C y 600°C. Estas combinaciones de formas diferentes se atribuyen a la forma de la varilla y del alambre. Estas combinaciones de formas diferentes se han atribuido al crecimiento inicial de nanoestructuras (sitios de nucleación) en la superficie obtenido durante la deposición durante 20 minutos. El estrechamiento de la anchura total-media-máxima del pico correspondiente al plano (002) de la DRX se considera otra posible explicación. El desplazamiento al azul del pico a 396 nm observado en la fotoluminiscencia se debe al confinamiento cuántico. La intensidad del modo E2(alto) a 437 cm-1 aumenta, lo que indica una mejora de la cristalinidad con la temperatura del sustrato.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:como estructuras, temperatura ambiente, temperatura del sustrato, temperaturas del sustrato c, técnica de deposición láser, sustrato de silicio tipo, pico, hilo, nanoestructuras zno, desplazamiento al azul
• Keywords:like structures, room temperature, substrate temperature, c substrate temperatures, laser deposition technique, type silicon substrate, peak, wire, zno nanostructures, blue shift