Resumen

El documento presenta una nueva celda de SRAM de 8T con compuertas de paso de acceso reemplazadas por lógica de transistor de paso PMOS modificado. En comparación con la celda de SRAM de 6T, la celda propuesta logra un SNM de lectura 3.5 veces mayor y un SNM de escritura 2.4 veces mayor con una mejora del 16.6% en la distribución de SINM (margen de ruido de corriente estática) a expensas de un WTI (corriente de disparo de escritura) 7 veces menor a 0.4V de voltaje de alimentación, manteniendo una estabilidad similar en modo de espera. La celda de SRAM de 8T propuesta muestra mejoras en términos de una reducción de 7.735 veces en la dispersión promedio de la potencia en espera, un 2.61 veces menos en el tiempo promedio de acceso de escritura, y un 1.07 veces menos en el tiempo promedio de acceso de lectura con un voltaje de alimentación que varía de 0

• Materias:Memoria multipuerto Algoritmos genéticos Clasificación de paquetes Recuperación de fallas Predicción de frecuencia
• Subjects:Multiport memory Genetic algorithms Packet classification Fault recovery Frequency prediction
• Palabras claves:Novela; Celda SRAM de 8T; Lectura SNM; Escritura SNM; SINM; WTI
• Keywords:Novel; 8T SRAM cell; Read SNM; Write SNM; SINM; WTI