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High-Efficiency Si Solar Cell Fabricated by Ion Implantation and Inline Backside Rounding ProcessCélula solar de Si de alta eficiencia fabricada mediante implantación iónica y proceso de redondeo de la cara posterior en línea

Resumen

Presentamos un nuevo método de procesamiento de alto rendimiento para producir células solares de alta eficiencia mediante un proceso de redondeo de la cara posterior y la implantación de iones. Se investiga la implantación iónica combinada con un proceso de redondeo de la cara posterior. El proceso de implantación iónica sustituyó a la difusión térmica de POCl3 y consiguió una mayor uniformidad de la lámina Rsheet (<3%). El espectrofotómetro U-4100 muestra que las obleas con un proceso de redondeo de la cara posterior presentan una mayor reflectividad en longitudes de onda largas. Se analizó el Al-BSF serigrafiado industrialmente (SP) en diferentes grupos de profundidad de grabado. El SEM muestra que el aumento de la profundidad de grabado mejora el campo de la superficie posterior (BSF). La medición I-V reveló que las profundidades de grabado de 6 μm ± 0,1 μm debido a que tienen el VOC y el ISC más altos, tiene el mejor rendimiento. SEMs también muestran que las profundidades de grabado más altas también producen la fusión uniforme de Al y mejor BSF. Esto concuerda con los datos de respuesta IQE a longitudes de onda largas.

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Información del documento

  • Titulo:High-Efficiency Si Solar Cell Fabricated by Ion Implantation and Inline Backside Rounding Process
  • Autor:Chien-Ming, Lee; Sheng-Po, Chang; Shoou-Jinn, Chang; Ching-In, Wu
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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