Resumen

Se presenta un nuevo método para fabricar células solares de silicio cristalino con emisores selectivos. En este método, primero se forman zanjas poco profundas correspondientes a la zona de contacto metálico mediante serigrafía y grabado químico, seguidas de un fuerte dopaje en toda la superficie frontal de la oblea de silicio. Después de pegar una máscara de polímero mediante serigrafía alineada para cubrir las zanjas poco profundas, se graba la oblea de silicio de tal manera que el dopaje pesado permanece en la zona de las zanjas poco profundas, mientras que otras zonas quedan ligeramente dopadas. Con el método presentado, se requieren dos pasos de impresión por cribado para obtener una estructura emisora selectiva en una oblea solar. En comparación con los métodos de grabado por retroceso existentes, se cree que el método presentado puede adaptarse fácilmente a los procesos industriales actuales. Los resultados experimentales muestran que las respuestas ópticas en longitudes de onda corta y larga mejoran al aplicar la técnica de emisor selectivo propuesta para fabricar células solares con una película de a-Si:H depositada en la superficie posterior. La célula de emisor selectivo con a-Si:H depositado en la superficie posterior presentó mejoras de 1,66 mA/cm2 y 1,23 bsoluto en Jsc y eficiencia de conversión, respectivamente, en comparación con la célula de referencia que tenía un emisor homogéneo y sin a-Si:H en la superficie posterior.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:superficie posterior, dopaje pesado, zanjas poco profundas, oblea de silicio, células solares, área de contacto metálico, proceso industrial actual, célula emisora selectiva, estructura emisora selectiva, técnica emisora selectiva
• Keywords:back surface, heavy doping, shallow trenches, silicon wafer, solar cells, metal contact area, present industrial process, selective emitter cell, selective emitter structure, selective emitter technique