Resumen

Demostramos la mejora del rendimiento de las células solares de silicio monocristalino (sc-Si) tipo p resultante de la pasivación de la superficie frontal mediante una fina película de silicio amorfo (a-Si) depositada antes de la difusión de fósforo. La eficiencia de conversión mejoró para la muestra con una película de a-Si de ~5 nm de espesor depositada en la superficie frontal antes de la difusión de fósforo a alta temperatura, con respecto a las muestras con una película de a-Si depositada en la superficie frontal después de la difusión de fósforo. La mejora en la eficiencia de conversión es de 0,4 bsoluta con respecto a las células con película de a-Si pasivada, es decir, las células con una película de a-Si depositada en la superficie frontal tras la difusión del fósforo. La nueva técnica proporcionó una mejora del 0,5% en la eficiencia de conversión con respecto a las células sin pasivación de a-Si. Estas mejoras de rendimiento se deben a la reducción de la recombinación superficial, así como a la disminución de la resistencia de contacto, lo que induce un elevado factor de llenado de la célula solar.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:película de si, eficiencia de conversión, superficie frontal, difusión de fósforo, células, tales mejoras de rendimiento, pasivación de la superficie frontal, alto factor de llenado, difusión de fósforo a temperatura, silicio amorfo delgado
• Keywords:si film, conversion efficiency, front surface, phosphorus diffusion, cells, such performance improvements, front surface passivation, high fill factor, temperature phosphorus diffusion, thin amorphous silicon