Resumen

En este artículo se propone y verifica un nuevo chip de proceso integrado para un resonador acústico de película delgada (FBAR) con procesamiento CMOS de 0,18 um destinado a aplicaciones portátiles. Se fabrica un FBAR de modo longitudinal con una estructura grabada, que tiene una frecuencia de resonancia de 1,878 GHz y un factor Q de 1200. El oscilador FBAR, basado en la estructura de reutilización de corriente, se diseña con el modelo Butterworth Van Dyke Modificado (MBVD). El resultado muestra que el oscilador FBAR funciona a 1,878 GHz con un ruido de fase de -107 dBc/Hz y -135 dBc/Hz a 10 KHz y 100 KHz de desplazamiento de frecuencia, respectivamente. El tamaño total del chip de proceso con almohadillas es de 1300 μm × 950 μm. El FBAR y el chip de proceso están unidos entre sí para detectar una masa diminuta. Los resultados de las mediciones demuestran que la precisión de este chip es de 1 KHz con un desfase de frecuencia FBAR de 25 kHz a 25 MHz.

• Materias:Automatización Control del proceso Sistemas no lineales Modelo lineal Regulación automática Diagnóstico de fallos
• Subjects:Automation Nonlinear systems Linear model Automatic regulation Fault diagnosis
• Palabras claves:oscilador fbar, chip de proceso, butterworth van dyke modificado, tamaño del chip de proceso completo, brecha de frecuencia fbar, resonador acústico a granel, modo longitudinal fbar, fbar, ghz, khz
• Keywords:fbar oscillator, process chip, modified butterworth van dyke, whole process chip size, fbar frequency gap, bulk acoustic resonator, longitudinal mode fbar, fbar, ghz, khz