Resumen

En este trabajo, películas delgadas de ZnO (ZnO-H, AZO-H, y GZO-H, respectivamente) sin dopar, dopadas con aluminio y dopadas con galio, depositadas sobre sustratos de vidrio sodocálcico mediante el método de pulverización catódica por magnetrón en una mezcla gaseosa de hidrógeno y argón, se recuecen a diversas temperaturas en el rango de 200-500°C en aire para evaluar la durabilidad de dichas películas bajo temperatura de recocido. A partir de los espectros de fotoluminiscencia, la formación de defectos puntuales, especialmente vacantes de oxígeno, cuando el hidrógeno se difunde fuera de las películas a alta temperatura de recocido se exhibe a través de un aumento significativo de las emisiones visibles. Descubrimos que la concentración de portadores y la movilidad Hall de las películas AZO-H y ZnO-H disminuyen drásticamente, mientras que las de la película GZO-H se mantienen estables al aumentar la temperatura de recocido de 200°C a 300°C. Propusimos un modelo para interpretar la durabilidad térmica de la película GZO-H según el cual, a una temperatura de recocido de 300°C, los iones Ga3 situados en sitios de Zn adyacentes pueden empujar a los átomos de hidrógeno, que se desprenden de los sitios de antienlace perpendiculares al eje c (AB┴), hacia sitios de centro de enlace paralelos al eje c (BC//). El movimiento del hidrógeno desde el sitio AB┴ al BC// también da lugar a la durabilidad de las propiedades eléctricas de las películas GZO-H a la alta temperatura de recocido.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:temperatura, gzo, zno, hidrógeno, película h, películas h, sitios zn adyacentes, sitios centro de enlace, sustratos de vidrio calcáreo, azo
• Keywords:temperature, gzo, zno, hydrogen, h film, h films, adjacent zn sites, bond center sites, lime glass substrates, azo