Resumen

El gran desarrollo de los dispositivos portátiles impone la necesidad apremiante de diseñar circuitos VLSI con un consumo de energía ultrabajo (ULP). La región de funcionamiento subumbral es una solución atractiva para conseguir un consumo ultrabajo. Sin embargo, limita la velocidad del circuito debido al uso de corriente de fuga parásita como corriente de accionamiento. El mantenimiento de la disipación de potencia a un nivel ultrabajo con una velocidad mejorada ampliará aún más el área de aplicación de los circuitos subumbral, incluso hacia las matrices de puertas programables en campo y el dominio portátil en tiempo real. El funcionamiento del Si-MOSFET en las regiones subumbrales degrada el rendimiento del circuito en términos de velocidad y también aumenta la dispersión de los parámetros del circuito bien diseñado debido a las variaciones de proceso, tensión y temperatura. Esto puede provocar el fallo del circuito subumbral a una tensión de alimentación muy baja. Es esencial examinar la robustez de la mayoría de los dispositivos emergentes frente a las variaciones de PVT. Por lo tanto, este artículo investiga y compara el rendimiento de los dispositivos emergentes más prometedores como CNFET y DG FinFET en las regiones subumbrales. Se ha explorado el efecto de la variación de PVT en el rendimiento de CNFET y DG FinFET y se ha descubierto que CNFET es más robusto que DG-FinFET en condiciones de subumbral frente a las variaciones de PVT.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:cnfet, variaciones pvt, regiones subumbrales, potencia ultrabaja, baja tensión de alimentación, corriente de fuga parásita, matrices de puertas programables, próximos dispositivos prometedores, fallo de circuito subumbral, rendimiento
• Keywords:cnfet, pvt variations, subthreshold regions, ultralow power, low supply voltage, parasitic leakage current, programmable gate arrays, promising upcoming devices, subthreshold circuit failure, performance