Resumen

La memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) se perfila como una nueva clase de memoria no volátil que ofrece propiedades electrónicas prometedoras y estructuras sencillas metal-aislante-metal (MIM) para capas sándwich, como materiales orgánicos, inorgánicos e híbridos. Las estructuras híbridas han despertado mucho interés últimamente por sus ventajosas propiedades. La combinación de quitosano (CS) y óxido de grafeno (GO) actúa como capas de conmutación en la estructura RRAM Al/CS-GO/FTO que se estudia con un comportamiento de conmutación bipolar a aproximadamente 102 relaciones ON/OFF durante 100 ciclos. Esta interacción híbrida se identifica mediante desplazamientos en las bandas D, G y 2D utilizando espectroscopia Raman. Se propone que el mecanismo de conducción es un mecanismo de conducción con carga espacial limitada (SCLC) y un mecanismo de conducción por túnel asistido por trampa en los estados ON y OFF, respectivamente. Los electrones atrapados y desatrapados se mueven a través de los sitios trampa con campos eléctricos externos, y este movimiento es responsable del mecanismo de conmutación del dispositivo de memoria nanocompuesto CS-GO.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:memoria de acceso aleatorio resistiva, estructura fto rram, campos eléctricos externos, dispositivo de memoria nanocompuesto, mecanismo de conducción por efecto túnel, bandas 2d, estructuras híbridas, relaciones off, estados off, espectroscopia raman
• Keywords:resistive random access memory, fto rram structure, external electric fields, nanocomposite memory device, tunneling conduction mechanism, 2d bands, hybrid structures, off ratios, off states, raman spectroscopy