Resumen

Presentamos las características de conmutación resistiva de dispositivos Metal-Insulator-Metal (MIM) basados en AlO amorfo que se deposita mediante Depósito de Capa Atómica (ALD). La temperatura máxima de procesamiento para este dispositivo de memoria es de 300 ºC, lo que lo hace ideal para el procesamiento Back-End-of-Line (BEOL). Aunque se obtienen algunas variaciones en las tensiones de formación, establecimiento y reinicio (, , y ) para muchos de los dispositivos MIM medidos (principalmente debido a variaciones de rugosidad de las interfaces MIM observadas después del análisis de microscopía de fuerza atómica), el efecto se ha obtenido después de mediciones cíclicas. Estas transiciones resistivas en el óxido metálico ocurren tanto para condiciones como para , mientras que la relación es de alrededor de 46 órdenes de magnitud y se forma a tensiones de compuerta de V. En modo unipolar, se observa una reducción gradual en y está relacionada con la combinación de (a) disolución incom

• Materias:Simulación dinámica Toma de decisiones Regresión lineal Cargas controladas Seguridad multimedia
• Subjects:Dynamic simulation Decision making Linear regression Controlled loads Multimedia safety
• Palabras claves:Metal-aislante-metal; óxido de aluminio; Conmutación resistiva; Deposición de capa atómica; Final de la línea de producción; Filamentos conductores
• Keywords:Metal-insulator-metal; Aluminuim oxide; Resistive switching; Atomic layer deposition; Back-end-of-line; Conductive filaments