Resumen

Se prepararon películas de germanio amorfo hidrogenado ( a -Ge:H) mediante la técnica de deposición química en fase vapor potenciada por plasma (PECVD). Las películas de nanocristales de Ge (Ge NCs) se obtuvieron por recocido térmico de las muestras depositadas a varias temperaturas. El comportamiento tipo P de las películas de Ge NCs sin dopaje externo se atribuyó a la acumulación de huecos causada por estados superficiales de tipo aceptor. Se observó que la conductividad oscura y la movilidad Hall alcanzaron valores tan elevados como 25,6 S/cm y 182 cm2/V-s en la película de Ge NCs recocida a 500°C, que se incrementaron en más de cuatro y tres órdenes de magnitud por encima de los de la película as-depositada (1,3 × 10-3 S/cm y 0,14 cm2/V-s, respectivamente). Se investigaron los mecanismos de transporte de portadores de las películas de Ge NCs en asociación con las características microestructurales. Se observaron tres tipos de comportamientos de conductividad dependientes de la temperatura, que muestran las relaciones lineales de ln σ frente a T - 1 / 4 , T - 1 / 2 , y T - 1 , respectivamente, en las regiones de temperatura de 10 K a 500 K, mostrando diferentes mecanismos microscópicos que rigen el transporte de portadores en la película de Ge NCs.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:película ge ncs, asociación de películas ge ncs, mecanismos de transporte de portadores, películas ge ncs, germanio amorfo hidrogenado, deposición química de vapor, comportamientos de conductividad dependientes, diferentes mecanismos microscópicos, como estados superficiales, v-s
• Keywords:ge ncs film, ge ncs films association, carrier transport mechanisms, ge ncs films, hydrogenated amorphous germanium, chemical vapor deposition, dependent conductivity behaviors, different microscopic mechanisms, like surface states, v·s