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Artículo

Confirmation of the Degradation of Single Junction Amorphous Silicon Modules (a-Si:H)Confirmación de la degradación de los módulos de silicio amorfo de unión simple (a-Si:H)

Resumen

Este estudio examina la degradación de los módulos fotovoltaicos (FV) de silicio amorfo de unión simple (a-Si:H). En él se resumen los principales resultados obtenidos tras más de 7 años de investigación sobre el terreno de los mecanismos de degradación de los módulos a-Si:H. La investigación se basó en parámetros de rendimiento como los factores de llenado, las resistencias parásitas y los factores de idealidad. Las eficiencias iniciales de estos módulos se ajustaban a los valores esperados; sin embargo, se observó una disminución significativa durante el periodo de seguimiento.

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