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Relative Humidity Dependent Resistance Switching of Bi2S3 NanowiresConmutación de la resistencia de los nanocables de Bi2S3 en función de la humedad relativa

Resumen

Las propiedades eléctricas de los nanocables de Bi2S3 cultivados utilizando un precursor de fuente única en plantillas de óxido de aluminio anódico son sensibles a la humedad relativa en un entorno de gas inerte. Se obtiene una dependencia de detección dinámica que muestra la presencia de un efecto de conmutación espontánea de la resistencia entre los estados de baja y alta humedad relativa. Empleando la teoría de emisión de campo termoiónico, se estiman las alturas de las barreras Schottky a partir de las características corriente-voltaje y en relación con la respuesta a la humedad. El cambio de altura de la barrera Schottky se explica por cambios locales en las moléculas de agua adsorbidas físicamente en la superficie del nanocable.

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