Resumen

Se ha empleado el estudio de elipsometría espectroscópica para películas delgadas de VO2(M1) de fase pura crecidas a diferentes presiones parciales de oxígeno mediante sputtering reactivo por magnetrón. Se han determinado las constantes ópticas de las películas delgadas de VO2(M1) en un rango de energía fotónica comprendido entre 0,73 y 5,05 eV. El coeficiente de extinción en el infrarrojo cercano y la conductividad óptica de las películas delgadas de VO2(M1) aumentan rápidamente con la disminución de las relaciones O2-Ar. Además, se pueden asignar dos transiciones electrónicas de forma unívoca. Las brechas de energía correlacionadas con el borde de absorción ( E 1 ) a distintas relaciones O2-Ar son casi las mismas (~2,0 eV); en consecuencia, el borde de absorción no cambia significativamente. Sin embargo, la brecha de banda óptica correspondiente a la transición de fase de semiconductor a metal ( E 2 ) disminuye de 0,53 a 0,18 eV con la disminución de las relaciones O2-Ar.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:ar, películas delgadas, borde de absorción, estudio de elipsometría espectroscópica, coeficiente de extinción infrarroja, transición de fase metálica, brecha de banda óptica, rango de energía fotónica, vo2(m1, oxígeno diferente
• Keywords:ar ratios, thin films, absorption edge, spectroscopic ellipsometry study, infrared extinction coefficient, metal phase transition, optical band gap, photon energy range, vo2(m1, different oxygen