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Ti/Al Ohmic Contacts to n-Type GaN NanowiresContactos óhmicos de Ti/Al con nanocables de GaN de tipo n

Resumen

Se han estudiado los contactos óhmicos de titanio/aluminio con nanocables de GaN cónicos de tipo n y sección triangular. Para extraer la resistencia de contacto específica, se adaptó el modelo de línea de transmisión comúnmente utilizado a la geometría de nanocable concreta. La composición más rica en Al del contacto proporcionó una baja resistencia específica de contacto (mediados de 10-8 Ωcm2) tras el recocido a 600 ∘C durante 15 s, pero mostró una mala estabilidad térmica debido a la oxidación del exceso de Al elemental que quedaba tras el recocido, como reveló la microscopía electrónica de transmisión. Por otro lado, los contactos menos ricos en Al necesitaron temperaturas de recocido más altas (850 o 900 ∘C) para alcanzar una resistencia de contacto específica mínima, pero mostraron una mejor estabilidad térmica. La dispersión de la resistencia de contacto específica de un contacto a otro se atribuyó provisionalmente a las diferentes facetas que se pusieron en contacto en los nanocables de GaN de sección transversal triangular.

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