Biblioteca122.294 documentos en línea

Artículo

Copper Sulfide Catalyzed Porous Fluorine-Doped Tin Oxide Counter Electrode for Quantum Dot-Sensitized Solar Cells with High Fill FactorContraelectrodo poroso de óxido de estaño dopado con flúor catalizado con sulfuro de cobre para células solares sensibilizadas por puntos cuánticos con alto factor de relleno

Resumen

El rendimiento de las células solares sensibilizadas por puntos cuánticos (QDSSC) está limitado principalmente por las reacciones químicas en la interfaz del contraelectrodo. Generalmente, el factor de llenado (FF) de las QDSSC es muy bajo debido a la gran resistencia a la transferencia de carga en la interfaz entre el contraelectrodo y la solución electrolítica que contiene parejas redox. En la presente investigación, demostramos la mejora de la resistencia mediante la optimización del área superficial y la cantidad de catalizador del contraelectrodo. Se utilizó una síntesis química sencilla para fabricar un contraelectrodo compuesto de polvo de óxido de estaño dopado con flúor (FTO) y nanopartículas de CuS. La introducción de una capa de oro pulverizado en la interfaz de la capa porosa de FTO y el sustrato de vidrio subyacente también redujo notablemente la resistencia del contraelectrodo. Como resultado, pudimos reducir la resistencia de transferencia de carga y la resistencia en serie, que fueron de 2,5 [Ω] y 6,0 [Ω], respectivamente. Este dispositivo de célula solar, que se fabricó con el contraelectrodo poroso-FTO diseñado actualmente como cátodo y un electrodo modificado con PbS como fotoánodo, mostró una FF del 58%, que es la más alta entre las QDSSC basadas en PbS de las que se ha informado hasta la fecha.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento