Resumen

El volumen cristalino de las películas de silicio nanocristalino (Si) pudo controlarse con éxito simplemente cambiando la velocidad de barrido del sustrato a la alta presión de trabajo de 300 Torr. La fracción de volumen cristalino de Si se incrementó del 30% al 57 y aumentando la velocidad de barrido de 8 a 30 mm/s. Cuando la película de Si se preparó a una velocidad de barrido baja (8 mm/s), los cristales de Si de un tamaño de 5 nm crecieron de forma homogénea en toda la película. Se comprobó que una mayor velocidad de barrido aceleraba la cristalización, y se depositaron cristales de tamaño hasta 25 nm en la película de Si depositada cuando la velocidad de barrido era de 30 mm/s.

• Materias:Sistema cuántico Masa (Física) fotoelectrones Iones Reacciones Nucleares
• Subjects:Quantum system Mass (Physical) photoelectrons Ions Nuclear Reactions
• Palabras claves:velocidad de barrido, cristal de tamaño, película de si, volumen de nanocristalino, volumen de si cristalino, mayor velocidad de barrido, baja velocidad de barrido, alta presión de trabajo, mm, fracción de volumen cristalino
• Keywords:scan speed, crystal of size, si film, volume of nanocrystalline, si crystalline volume, higher scan speed, low scan speed, high working pressure, mm, crystalline volume fraction