Resumen

En este trabajo se informa de la electrostricción del poliuretano (PU) con diferentes agregaciones de segmentos duros (HS) controlados por disolventes disímiles: N,N-dimetilformamida (DMF) y una mezcla de dimetilsulfóxido y acetona denotada como DMSOA. Mediante el uso de la microscopía de fuerza atómica y la calorimetría diferencial de barrido, se observó que el PU/DMSOA tenía dominios HS más grandes y una superficie más suave en comparación con los del PU/DMF. El aumento de la formación de dominios HS condujo al aumento de la temperatura de transición, la entalpía de transición y la constante dieléctrica (0,1 Hz). Para el campo eléctrico aplicado por debajo de 4 MV/m, el PU/DMSOA presentaba una mayor deformación inducida por el campo eléctrico y lo contrario. Se midió la constante dieléctrica y el módulo de Young de todas las muestras. Se comprobó que el PU/DMF tenía una constante dieléctrica menor, lo que conducía a su menor coeficiente de electrostricción a baja frecuencia. A frecuencias más altas, el coeficiente de electrostricción era independiente del tipo de disolvente. En consecuencia, su figura de mérito y su densidad de captación de energía eran similares. Sin embargo, la conversión de energía fue bien exhibida para el rango de baja frecuencia y bajo campo eléctrico. Por lo tanto, el PU/DMSOA debería ser promovido debido a la alta temperatura de vaporización del DMSOA, la buena electrostricción para baja frecuencia, y la alta tensión inducida para bajo campo eléctrico aplicado.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:campo eléctrico aplicado, pu, dmsoa, baja frecuencia, rango de baja frecuencia, alta tensión inducida, figura de mérito, microscopía de fuerza atómica, dmf, formación de dominio h
• Keywords:applied electric field, pu, dmsoa, low frequency, low frequency range, high induced strain, figure of merit, atomic force microscopy, dmf, h domain formation