Resumen

Se propone un diseño no tradicional de convertidores de energía solar multicapa, con uniones p-i-n eléctricamente independientes. Este nuevo enfoque permite la utilización de materiales II-VI, IV y IV-VI baratos y abundantes en lugar de III-V, utilizando también técnicas de deposición baratas y económicas como deposición química del baño (CBD) o deposición química en vapor (CVD) en lugar de costosos Epitaxia de haz molecular (MBE). Se construyó y utilizó el reactor CVD con tres fuentes atómicas. Se prepararon materiales semiconductores II-VI y IV-VI ya sea en un reactor CVD, o mediante técnicas CBD. Además, se empleó la tecnología original de dos etapas: primero se preparó la película de óxido / hidróxido precursor del metal correspondiente (como el óxido de cadmio / hidróxido) mediante una variedad de métodos CBD, y en la segunda etapa, en el reactor CVD, los metales no metálicos Componente de película precursora fue sustituido por calcogén, produciendo materiales como CdS, CdSe, PbTe, etc. Los materiales semiconductores así producidos fueron de alta calidad, con parámetros básicos correspondientes a los de los cristales individuales. Se construyeron varios convertidores experimentales multicapa (en particular, con las bicapas activas CdS / CdTe, CdS / PbS y Si / PbTe). Los resultados preliminares de su estudio han demostrado que estos dispositivos y similares se pueden utilizar en células solares y fotodetectores con una eficiencia satisfactoria, y tienen un gran potencial de mejora.

• Materias:Energía solar Industria de energía solar Reactores químicos - Diseño y construcción
• Subjects:Solar energy Solar energy industries Chemical reactors - Design and construction
• Palabras claves:convertidores de energía solar, energía solar multicapa, materiales semiconductores, células solares de múltiples capas, enlaces p-n independientes, películas de semiconductores II-VI y IV-VI, deposición química de baños, deposición química de vapor
• Keywords:solar energy converters, multi-layer solar energy, semiconductor materials, multilayered solar cells, independent p-n junctions, II–VI and IV–VI semiconductor films, chemical bath deposition, chemical vapor deposition