Resumen

En este artículo se describe un nuevo método para hacer crecer epiláminas finas de germanio (Ge) (40 nm) sobre sustratos de c-Si a una temperatura de crecimiento baja de 180°C utilizando el proceso de deposición química en fase vapor por resonancia de ciclotrón electrónico (ECR-CVD). Se ha alcanzado la anchura completa a la mitad máxima (FWHM) del Ge (004) en el patrón de difracción de rayos X y la mancha de compresión en una epilámina de Ge de 683 arcsec y 0,12 an. Además, la interfaz Ge/Si se observa mediante microscopía electrónica de transmisión para demostrar el crecimiento epitaxial de Ge sobre Si y la rugosidad de la superficie es de 0,342 nm. En nuestra opinión, el espesor fino y la superficie lisa de la epilámina de Ge crecida sobre Si en este estudio es adecuada como sustrato virtual para desarrollar células solares en tándem III-V/Si de bajo coste y alta eficiencia. Además, el proceso de baja temperatura no sólo puede disminuir los costes, sino también reducir la restricción de los procesos de alta temperatura en la fabricación de dispositivos.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:ge epilayer, deposición química de vapor por resonancia de ciclotrón electrónico, procesos a alta temperatura, baja temperatura de crecimiento, proceso a baja temperatura, patrón de difracción de rayos, microscopía electrónica de transmisión, interfaz si, sustratos si, mancha compresiva
• Keywords:ge epilayer, electron cyclotron resonance chemical vapor deposition, high temperature processes, low growth temperature, low temperature process, ray diffraction pattern, transmission electron microscopy, si interface, si substrates, compressive stain