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Artículo

Growth and Characterization of CuO Nanostructures on Si for the Fabrication of CuO/p-Si Schottky DiodesCrecimiento y Caracterización de Nanoestructuras de CuO en Si para la Fabricación de Diodos Schottky CuO/p-Si.

Resumen

Las intercapas de CuO en los diodos Schottky CuO/p-Si fueron fabricadas utilizando métodos CBD y sol-gel. Las capas de CuO depositadas fueron caracterizadas mediante técnicas de SEM y XRD. A partir de las imágenes de SEM, se observó que la película crecida por el método CBD es más densa que la película crecida por el método sol-gel. Este resultado es compatible con los resultados de XRD que muestran que la cristalización en el método CBD es mayor que en el método sol-gel. Para las investigaciones eléctricas, se estudiaron las características corriente-voltaje de los diodos a temperatura ambiente. Se utilizaron los métodos convencionales y Nordes para determinar los valores del factor de idealidad, altura de barrera y resistencia en serie. Se observó que el análisis morfológico y estructural es compatible con los resultados de las investigaciones eléctricas.

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