Resumen

Se han cultivado capas epitaxiales de AlxGa1-xSb sobre sustrato de GaAs mediante deposición química de vapor metalorgánico a presión atmosférica utilizando TMAl, TMGa y TMSb. Informamos del efecto de la relación de flujo V/III y de la temperatura de crecimiento sobre la velocidad de crecimiento, la morfología superficial, las propiedades eléctricas y el análisis de la composición. Se encontró una energía de activación de la tasa de crecimiento de 0,73 eV. Para las capas crecidas sobre GaAs a 580∘C y 600∘C con una relación V/III de 3 es típica una morfología superficial de alta calidad, con una superficie tipo espejo y un buen control de la composición. Se comprobó que una temperatura de crecimiento y una relación de flujo V/III adecuadas eran beneficiosas para producir buenas capas de AlGaSb. El AlGaSb no dopado crecido a 580∘C con una relación de flujo V/III de 3 a una velocidad de 3,5 μm/hora muestra una conductividad tipo p con una morfología superficial suave y su movilidad de agujeros y concentración de portadores son iguales a 237 cm2/V.s y 4,6 × 1017 cm-3, respectivamente, a 77 K. Se comprobó que la concentración neta de agujeros del AlGaSb no dopado disminuye significativamente con el aumento de la concentración de aluminio. Todas las muestras investigadas presentan capas de óxido (Al2O3, Sb2O3 y Ga2O5) en sus superficies. En particular, el porcentaje de óxido de aluminio era muy alto en comparación con un pequeño porcentaje de AlSb. El contenido de carbono en la superficie también era muy elevado.

• Materias:Hidrógeno Polímeros Espectroscopí­a de rayos X Rayos X Dinámica de sistemas
• Subjects:Hydrogen Polymers X-ray spectroscopy X-ray System Dynamics
• Palabras claves:relación de flujo, morfología superficial lisa, morfología superficial de calidad, buena capa de algasb, presión química metalorgánica, porcentaje de aluminio, tasa de energía de activación, temperatura de crecimiento adecuada, concentración de agujeros netos, porcentaje de alsb
• Keywords:flux ratio, smooth surface morphology, quality surface morphology, good algasb layer, pressure metalorganic chemical, percentage of aluminium, rate activation energy, suitable growth temperature, net hole concentration, percentage of alsb