Resumen

Presentamos un estudio de puntos cuánticos (QDs) de Ga(As)As optoelectrónicamente activos sobre capas de AlxGa1-xAs ricas en Al con concentraciones de Al de hasta x = 90%. Sin embargo, hasta ahora no ha sido posible cultivar QDs de Ga(As)As optoelectrónicamente activos directamente sobre y entre capas de barrera ricas en Al en el sistema de materiales AlGaInAsSb. Puede aparecer una morfología de QD en el frente de crecimiento, pero las entidades similares a los QDs no presentan luminiscencia. Aquí, utilizamos mediciones de fotoluminiscencia (PL) para demostrar que las finas capas de cápsula sin Al entre las capas de barrera ricas en Al y las capas de QD pueden resolver este problema; de esta manera, los QDs se vuelven optoelectrónicamente activos; es decir, los puntos se convierten en QDs. Consideramos los QDs de antimonida, es decir, los QDs de Ga(As)Sb, ya sea sobre GaAs para comparar o sobre barreras de AlxGa1-xAs (x >10%) con capas de cápsula de GaAs entre ellas. También discutimos la influencia del acoplamiento de los QDs tanto por la tensión/deformación de los QDs vecinos como por la mecánica cuántica en la longitud de onda del pico de fotoluminiscencia. Debido a su mera existencia, las capas de la cápsula alteran las barreras al convertirse en parte de ellas. Las aplicaciones de los puntos cuánticos, como los láseres semiconductores QD para espectroscopia o los QD como células de almacenamiento binarias, se beneficiarán de este grado adicional de libertad de diseño.

• Materias:Análisis de suelos Hormigón Construcciones de hormigón Asfalto
• Subjects:Soil testing Concrete Concrete construction Asphalt
• Palabras claves:capa de barreras ricas, qds, grado de diseño, ga(as)as qds activas, célula de almacenamiento binaria, capa de cápsulas gaas, capa de cápsulas libres, punto cuántico ga(as)as, sistema de material algainassb, láser semiconductor qd
• Keywords:rich barriers layer, qds, degree of design, active ga(as)as qds, binary storage cell, gaas capsules layer, free capsules layer, ga(as)as quantum dot, algainassb material system, qd semiconductor laser