Resumen

Se ha utilizado la evaporación por haz de electrones para preparar nanocables (NWs) de Ge sobre sustratos de Si (111). A pesar de las condiciones de crecimiento sin UHV, las microscopías electrónicas de barrido y transmisión demuestran que los NWs son monocristales con direcciones de crecimiento cristalográficas específicas ([111], [110], y [112]). Los NWs son facetados, mostrando los planos de menor energía en la superficie. El facetado depende de la dirección de crecimiento. Además, se discuten los efectos perjudiciales de la contaminación por átomos de O en el crecimiento de los NWs de Ge. Finalmente, describimos cómo una preparación adecuada del catalizador de Au es capaz de aumentar la densidad de NWs de Ge en un factor de 4, mientras que se mantienen las características de heteroepitaxia y facetado.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:nws, direcciones específicas de crecimiento cristalográfico, evaporación por haz de electrones, densidad ge nw, crecimiento ge nws, contaminación por átomos de o, condiciones de crecimiento uhv, planos de menor energía, microscopías electrónicas de transmisión, catalizador au
• Keywords:nws, specific crystallographic growth directions, electron beam evaporation, ge nw density, ge nws growth, o atoms contamination, uhv growth conditions, lower energy plans, transmission electron microscopies, au catalyst