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MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP SystemCrecimiento por MOCVD y fabricación de fotodiodos MUTC de alta potencia utilizando el sistema InGaAs-InP

Resumen

Presentamos unos fotodiodos uni-traveling-carrier modificados con compensación de carga (MUTC-PDs) con alta fotocorriente y rápida respuesta, crecidos utilizando precursores líquidos del grupo-V, en un sistema AIXTRON MOCVD. Los precursores líquidos del grupo V presentan menos toxicidad y mejores características de descomposición. La fabricación del dispositivo se completa con técnicas de procesado estándar con pasivación BCB. Se realizan mediciones de CC y RF utilizando una fibra monomodo a 1,55 μm. Para un dispositivo de 24 μm de diámetro (con factor de idealidad de diodo de 1,34), la corriente oscura es de 32,5 nA y el ancho de banda de 3 dB es ≫20 GHz a una polarización inversa de 5 V, valores comparables a los teóricos. Se obtiene una elevada fotocorriente de más de 150,0 mA a partir de dispositivos de mayor diámetro (>60 μm). La máxima capacidad de respuesta de CC a una longitud de onda de 1,55 μm es de 0,51 A/W, sin recubrimiento antirreflectante. Estos fotodiodos desempeñan un papel clave en el progreso de los futuros sistemas de comunicación THz.

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