Resumen

Controlar el crecimiento de nanohilos semiconductores con las propiedades deseadas de forma reproducible es de especial importancia para realizar la próxima generación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En este trabajo se investiga el crecimiento de nanohilos de óxido cúprico (CuO) por oxidación directa de sustratos que contienen cobre a 500∘C durante 150 minutos a distintas presiones parciales de oxígeno. Los sustratos considerados incluyen una junta de cobre de baja pureza, una lámina de cobre de alta pureza, capas finas compactadas de CuO y Cu2O, y sustratos estratificados de Cu/CuO y Cu/Cu2O. La morfología, composición y estructura de los nanocables de CuO producidos se analizaron mediante microscopía electrónica de barrido, espectroscopía de rayos X de energía dispersiva, microscopía electrónica de transmisión, difracción de electrones de área seleccionada, difracción de rayos X y absorción UV-Visible. Los procesos de oxidación seleccionados se han monitorizado mediante un analizador termogravimétrico. Se analizó la estructura de capas del sustrato tras la oxidación para dilucidar el mecanismo de crecimiento de los nanocables de CuO.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:cuo, capas finas de cu2o, procesos de oxidación seleccionados, difracción de electrones de área, producto nanocables de cuo, lámina de cobre de pureza, junta de cobre de pureza, microscopía electrónica de transmisión, crecimiento, nanocables
• Keywords:cuo, cu2o thin layers, selected oxidation processes, area electron diffraction, product cuo nanowires, purity copper foil, purity copper gasket, transmission electron microscopy, growth, nanowires