Resumen

La integración de InGaAs en sustratos de Si es un tema importante para la próxima generación de dispositivos electrónicos. El crecimiento rápido por fusión (RMG) tiene el potencial de hacer crecer materiales sin defectos en la red sobre Si a bajo coste. La mayoría de las publicaciones anteriores se han centrado en el crecimiento de compuestos binarios III-V mediante RMG, pero ninguna ha analizado los materiales compuestos ternarios. En este artículo, demostramos la RMG del compuesto ternario monocristalino InGaAs sobre sustratos de Si. Discutimos dos cuestiones principales. La primera es la segregación a lo largo de la longitud de la franja. Se desarrolla un modelo analítico para describir la segregación de In/Ga en la franja crecida y se compara el modelo con los datos experimentales. El segundo problema es la disolución de la región semilla de Si durante la RMG, que conduce a la formación de islas de Si dentro de la franja de InGaAs. Los resultados de este estudio son aplicables a cualquier material compuesto en el que el Si sea soluble a las elevadas temperaturas necesarias para la RMG.

• Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
• Subjects:Nuclear energy Molecular dynamics Metals Electrodes Steel Stainless steel
• Palabras claves:rmg, compuesto ternario cristalino, región semilla de si, material compuesto ternario, crecimiento rápido de la fusión, compuesto ternario ingaas, formación de si, red libre, sustrato de si, próxima generación
• Keywords:rmg, crystal ternary compound, si seed region, ternary compound material, rapid melt growth, ternary compound ingaas, formation of si, free lattice, si substrate, next generation