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Growth and Characterization of Single Crystalline Bi4Ge3O12 Fibers for Electrooptic High Voltage SensorsCrecimiento y caracterización de fibras monocristalinas de Bi4Ge3O12 para sensores electroópticos de alto voltaje

Resumen

La técnica de micropulling-down para el crecimiento de fibras cristalinas se emplea para el crecimiento de fibras y varillas delgadas de germanato de bismuto, Bi4Ge3O12 (BGO), para su uso en sensores electroópticos de alto voltaje. La motivación es el crecimiento de fibras considerablemente más largas que las longitudes típicas (100-250 mm) que se consiguen con técnicas de crecimiento más convencionales como la técnica Czochralski. A una tensión determinada (varios cientos de kilovoltios en aplicaciones de subestaciones de alta tensión), los sensores más largos dan lugar a intensidades de campo eléctrico más bajas y, por tanto, a un aislamiento eléctrico más compacto y sencillo. Se cultivaron muestras de BGO con longitudes de hasta 850 mm y espesores de 300 μm a 3 mm. Se abordan retos particulares en el crecimiento de fibras de BGO. Se caracterizan las propiedades ópticas relevantes de las fibras y se investiga la respuesta electroóptica a tensiones de hasta 30 kVrms.

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