Resumen

Se crecieron películas delgadas de GaN en plano - en sustratos de LiAlO bajo diferentes relaciones de flujo de N/Ga mediante epitaxia por haces moleculares asistida por plasma. Se demostró un crecimiento anisotrópico del GaN en plano - en función de la relación de flujo de N/Ga. A medida que la relación de flujo de N/Ga disminuía al aumentar el flujo de Ga, la superficie de GaN tendía a tener una morfología plana con rayas a lo largo del 110. Según el análisis de difracción de rayos X de alta resolución, se observó LiGaO en la interfaz entre el GaN y el sustrato de LiAlO. La formación de LiGaO influiría en la morfología superficial y la calidad cristalina.

• Materias:Electrodos Nanocompuestos Nanomanipulación
• Subjects:Electrodes Nanocomposites Nanomanipulation
• Palabras claves:Películas; GaN; Sustratos; Relaciones de flujo; Morfología; Calidad cristalina
• Keywords:Films; GaN; Substrates; Flux ratios; Morphology; Crystal quality