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Growth and Characterization of High-Quality GaN Nanowires on PZnO and PGaN by Thermal EvaporationCrecimiento y Caracterización de Nanocables de GaN de Alta Calidad sobre PZnO y PGaN por Evaporación Térmica

Resumen

En la presente investigación, se utiliza un método fácil y barato para sintetizar nanocables (NWs) de nitruro de galio (GaN) altamente cristalinos sobre dos sustratos diferentes [es decir, óxido de zinc poroso (PZnO) y nitruro de galio poroso (PGaN)] en oblea de Si (111) mediante evaporación térmica sin ningún catalizador. Los estudios microestructurales realizados mediante microscopía electrónica de barrido y microscopía electrónica de transmisión revelan el papel de los sustratos en la nucleación y alineación de los NWs de GaN. Se realizaron otras caracterizaciones estructurales y ópticas mediante difracción de rayos X de alta resolución, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva y espectroscopia de fotoluminiscencia. Los resultados indican que los NWs tienen una estructura monocristalina hexagonal de GaN y una dirección de crecimiento en el plano (0001). La calidad y la densidad de los NW de GaN crecidos sobre distintos sustratos dependen en gran medida del desajuste reticular entre los NW y sus sustratos. Los resultados indican que los NW crecidos sobre PGaN tienen mejor calidad y mayor densidad que los NW crecidos sobre PZnO.

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