Resumen

En las últimas décadas se ha prestado gran interés a los cristales fotónicos con el fin de crear dispositivos novedosos capaces de controlar la propagación de la luz. En el presente trabajo se han fabricado dispositivos bidimensionales (2D) y tridimensionales (3D) basados en silicio poroso nanoestructurado. Los dispositivos 2D consisten en una malla cuadrada de venas de silicio poroso de 2 μm de ancho, dejando agujeros de aire cuadrados de 5×5 μm. Las estructuras 3D comparten el mismo diseño, aunque en su lugar se utilizan venas de silicio poroso multicapa, lo que proporciona un grado adicional de modulación. Estos dispositivos se fabrican a partir de monocapas de silicio poroso (para estructuras 2D) o multicapas (para estructuras 3D), abriendo en ellas orificios de aire mediante bombardeo con iones de argón de 1 KeV a través de las rejillas de cobre correspondientes. En el caso de las estructuras 2D, se encuentra una brecha de banda fotónica completa para la polarización TE en el rango infrarrojo térmico. Para las estructuras 3D, no existen huecos de banda completos, aunque sí varios huecos parciales nuevos en diferentes direcciones de alta simetría. Los resultados de la simulación sugieren que estas estructuras son candidatas muy prometedoras para el desarrollo de dispositivos fotónicos de bajo coste para su uso en el rango infrarrojo térmico.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles Nanomaterials
• Palabras claves:gama infrarroja térmica, estructuras 3d, estructuras 2d, bombardeo de iones de argón kev, brecha de banda fotónica completa, venas de silicio poroso multicapa, varias brechas parciales nuevas, venas de silicio poroso anchas, rejillas de cobre adecuadas, brechas de banda completas
• Keywords:thermal infrared range, 3d structures, 2d structures, kev argon ion bombardment, complete photonic band gap, multilayer porous silicon veins, several new partial gaps, wide porous silicon veins, appropriate copper grids, complete band gaps