Resumen

Este estudio presenta un exitoso mecanismo de cristalización sesgada (BCM) basado en un sustrato de indio/vidrio y lo aplica a la fabricación de películas de óxido conductor transparente (TCO) de ZnInSnO (ZITO). Los efectos de la cristalización sesgada sobre las propiedades eléctricas y estructurales de la estructura ZITO/In indican que el calentamiento Joule inducido por la corriente y la difusión de la interfaz fueron factores críticos para la cristalización a baja temperatura. Con polarizaciones de 4 V y 0,1 A, la resistividad de la película de ZITO se redujo de 3,08×10-4 Ω∗cm a 6,3×10-5 Ω∗cm. Esta reducción se atribuyó a la energía inducida por polarización, que hizo que los átomos de indio se difundieran en la matriz de ZITO. Esto efectuó la cristalización de la matriz amorfa de ZITO (a-ZITO) a una temperatura más baja (aproximadamente 170∘C) durante un breve periodo (≤20 min) durante una prueba de polarización. El BCM de baja temperatura desarrollado para este estudio obtuvo un tratamiento recocido convencional eficiente (temperatura más alta), poseía ventajas de ahorro de energía y velocidad, y puede considerarse un candidato para su aplicación en industrias fotoeléctricas.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:zito, mecanismo exitoso de cristalización por polarización, óxido conductor transparente, polarización, energía, estudio, ω∗cm, calentamiento por julios, película de zito, matriz de zito.
• Keywords:zito, successful bias crystallization mechanism, transparent conductive oxide, bias, energy, study, ω∗cm, joule heating, zito film, zito matrix