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Solid-phase crystallization of amorphous silicon filmsCristalización en fase sólida de películas de silicio amorfo

Resumen

La cristalización en fase sólida de un material amorfo necesita la energía de activación. La energía se suministra normalmente en forma de energía térmica aumentando la temperatura del material. Cuando ocurre la nucleación, la energía de deformación se desarrolla en la matriz amorfa así como en los núcleos cristalinos, o cristales. La energía de deformación es la más alta en la región de interfaz estable / metaestable en las direcciones de módulo de Young más altas de la fase estable. Por lo tanto, la velocidad de crecimiento de las cristalitas es la más alta en la fase metaestable a lo largo de las direcciones del módulo máximo de Young de las cristalitas porque la barrera de activación puede ser superada por la energía de deformación cuando la energía térmica no es lo suficientemente alta para superar la barrera. Es probable que la energía de deformación dé lugar a tasas de crecimiento no homogéneas de los cristalitos debido a su anisotropía elástica, si la hay. Esta teoría de cristalización dirigida puede explicar los siguientes resultados.

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