Resumen

Este artículo investiga el comportamiento de las memorias semiconductoras expuestas a la radiación con el fin de establecer su aplicabilidad en un entorno de radiación. El procedimiento experimental se ha utilizado para comprobar la resistencia a la radiación de memorias semiconductoras comerciales. Se han expuesto diferentes tipos de chips de memoria a radiación ionizante indirecta cambiando la intensidad de la dosis de radiación. El efecto de la radiación ionizante directa sobre el comportamiento de las memorias semiconductoras se ha analizado utilizando el método de simulación Monte Carlo. Los resultados obtenidos muestran que la radiación gamma provoca una disminución del voltaje umbral, siendo proporcional a la dosis de radiación absorbida. Las simulaciones Monte Carlo de la interacción de la radiación con el material demostraron ser significativas y pueden ser una buena herramienta de estimación para sondear el comportamiento de las memorias semiconductoras en entornos de radiación.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:comportamiento de las memorias semiconductoras, radiación, entorno de radiación, método de simulación monte carlo, simulaciones monte carlo, memorias semiconductoras comerciales, buena herramienta de estimación, intensidad de la dosis de radiación, diferentes tipos, procedimiento experimental
• Keywords:semiconductor memory behavior, radiation, radiation environment, monte carlo simulation method, monte carlo simulations, commercial semiconductor memories, good estimation tool, radiation dose intensity, different types, experimental procedure