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Damp-Heat Induced Performance Degradation for InGaP/GaAs/Ge Triple-Junction Solar CellDegradación del rendimiento de la célula solar de triple unión InGaP/GaAs/Ge inducida por la humedad y el calor

Resumen

Se realizaron pruebas aceleradas con células solares de triple unión (TJ) InGaP/InGaAs/Ge selladas y no selladas en un entorno complejo de alta temperatura y humedad y se investigaron las propiedades eléctricas a lo largo del tiempo. Se observó que la degradación de la eficiencia de conversión de energía en las células no selladas era más grave que en las selladas. La corriente de cortocircuito (ISC), la tensión de circuito abierto (VOC) y el factor de llenado (FF) de las células selladas cambiaron muy ligeramente, aunque la eficiencia de conversión disminuyó un 3,6% a lo largo de 500 h de exposición. Se sugirió que esta disminución de la eficiencia de conversión se debía al deterioro del encapsulante de silicona. El ISC, el VOC y el FF de las células no selladas disminuyeron al aumentar el tiempo de exposición. Mediante análisis EL y SEM, las causas fundamentales de la degradación pueden atribuirse a los daños y grietas cerca del borde de las células inducidos por la entrada de humedad. Esto dio lugar a caminos de derivación que conducen a un deterioro de la eficiencia de conversión de la célula solar mediante el aumento de la corriente de fuga, así como la disminución de la tensión de circuito abierto y el factor de llenado de las células solares no selladas.

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