Resumen

Cada vez es más necesario conseguir un fotodetector (PD) metal-semiconductor-metal (MSM) barato y ultrarrápido para comunicaciones de muy alta velocidad. Se estudia la influencia de la variación de la densidad de corriente de anodización en la respuesta de un MSM PD basado en silicio nanoporoso (NPSi) con electrodos de contacto de platino (Pt). Estas muestras de NPSi se cultivan a partir de obleas de Si (100) de tipo n mediante grabado fotoelectroquímico con tres densidades de corriente de anodización diferentes. Las imágenes FESEM de las muestras preparadas revelaron la existencia de poros discretos con formas esféricas y cuadradas. El patrón de DRX mostró el crecimiento de nanocristales con orientación de red (311). Los tamaños de los nanocristales obtenidos mediante la fórmula de Scherrer se sitúan entre 20,8 nm y 28,6 nm. El comportamiento rectificador observado en las características I-V se atribuye a la formación de la barrera Schottky Pt/PSi/n-Si, donde la altura de la barrera en la interfaz Pt/PSi se estima en 0,69 eV. Además, esta MSM PD de Pt/PSi/Pt alcanzó una respuesta máxima de 0,17 A/W y una eficiencia cuántica de hasta el 39,3%. La fotorrespuesta de esta MSM PD basada en NPSi demostró una excelente repetibilidad, una respuesta rápida y una corriente de saturación mejorada con el aumento de la densidad de corriente de anodización.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:msm pd, si formación de barrera schottky, pt msm pd, tales muestras npsi, variación de densidad de corriente, npsi, psi, anodización, imágenes fesem, interfaz psi
• Keywords:msm pd, si schottky barrier formation, pt msm pd, such npsi samples, current density variation, npsi, psi, anodization, fesem images, psi interface