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Thickness Dependence of Optoelectrical Properties of Mo-Doped In2O3 Films Deposited on Polyethersulfone Substrates by Ion-Beam-Assisted EvaporationDependencia del espesor de las propiedades optoeléctricas de películas de In2O3 dopadas con Mo depositadas sobre sustratos de polietersulfona mediante evaporación asistida por haz iónico

Resumen

En este estudio se depositaron películas de óxido de indio y molibdeno (IMO) sobre sustratos de polietersulfona (PES) mediante evaporación asistida por haz de iones (IBAE) a baja temperatura. Se investigaron los efectos del espesor de la película sobre sus propiedades ópticas y eléctricas. Los resultados muestran que las películas de OMI depositadas presentan una orientación preferente de B(222). La resistividad eléctrica de la película depositada se reduce inicialmente y posteriormente aumenta con el espesor de la película. La película IMO con la resistividad más baja de 7,61 × 10-4 ohm-cm se ha conseguido cuando el espesor de la película es de 120 nm. Presenta una rugosidad superficial satisfactoria Rpv de 8,75 nm y una transmitancia visible media del 78,7%.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Thickness Dependence of Optoelectrical Properties of Mo-Doped In2O3 Films Deposited on Polyethersulfone Substrates by Ion-Beam-Assisted Evaporation
  • Autor:Chin-Chiuan, Kuo; Chi-Chang, Liu; Yaug-Fea, Jeng; Chung-Chih, Lin; Yeuh-Yeong, Liou; Ju-Liang, He
  • Tipo:Artículo
  • Año:2010
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Biotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanotubos Análisis espectroquímico
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