Resumen

La absorción óptica de estructuras de 4-SiC dopadas con boro y aluminio mediante difusión a baja temperatura fue estudiada por primera vez. La difusión de impurezas se realizó a partir de películas de aluminosilicato y borosilicato (fuentes) fabricadas por diversos métodos. En las dependencias espectrales de absorción óptica a temperatura ambiente, se observaron bandas asociadas con transiciones desde niveles de impurezas, así como bandas de absorción asociadas con defectos de naturaleza de vacancia. El nivel de absorción en las muestras se utilizó para estimar la concentración de defectos. Se demostró que el uso de fuentes de átomos de impurezas creadas mediante cloruros de boro y aluminio permite reducir la concentración de defectos de vacancia.

• Materias:Fluorescencia Nanopartículas Espectroscopia infrarroja Fármaco Espectroscopia raman
• Subjects:Fluorescence Nanoparticles Infrared spectroscopy Drug Raman spectroscopy
• Palabras claves:Boro; Aluminio; Absorción óptica; Difusión a baja temperatura; Impurezas; Defectos de vacante
• Keywords:Boron; Aluminum; Optical absorption; Low-temperature diffusion; Impurities; Vacancy defects