Resumen

Se depositaron películas delgadas de carbono tipo diamante sobre un sustrato de silicio mediante el método de haz de iones reactivo directo con una fuente de iones basada en el sistema de descarga de corriente directa Penning con cátodo hueco frío. La deposición se realizó bajo varias condiciones. Se varió la presión (12-200 mPa) y la composición del gas formador de plasma que consistía en diferentes compuestos orgánicos e hidrógeno (C3H8, CH4, Si(CH3)2Cl2, H2), el voltaje de la brecha de aceleración en el rango de 0,5-5 kV, y la temperatura del sustrato en el rango de 20-850°C. Las películas sintetizadas se investigaron mediante métodos de nanoindentación, Raman y espectroscopia FTIR. El análisis de los resultados experimentales se realizó de acuerdo con un modelo desarrollado que describe los procesos de crecimiento de los materiales de carbono amorfo y cristalino.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:métodos de haz de iones, material de carbono cristalino, proceso de crecimiento, diferentes compuestos orgánicos, como película delgada, cátodo hueco frío, ion reactivo directo, métodos de espectroscopia ftir, sistema de descarga de corriente, modelo desarrollado
• Keywords:ion beam methods, crystalline carbon material, process of growth, different organic compound, like thin film, cold hollow cathode, direct reactive ion, ftir spectroscopy methods, current discharge system, developed model