Resumen

Las películas delgadas del semiconductor CdTe se depositaron electroquímicamente utilizando configuraciones de dos y tres electrodos en modo potenciostático para su comparación. Se utilizaron sulfato de cadmio y dióxido de telurio como fuentes de cadmio y telurio, respectivamente. Las capas obtenidas utilizando ambas configuraciones presentan propiedades estructurales, ópticas y eléctricas similares, sin dependencia específica de la configuración de electrodos utilizada. Estos resultados indican que la deposición electroquímica (electrodeposición) de CdTe y de semiconductores en general puede llevarse a cabo igualmente utilizando el sistema de dos electrodos así como el sistema convencional de tres electrodos sin comprometer las cualidades esenciales de los materiales producidos. Los resultados también ponen de manifiesto las ventajas de la configuración de dos electrodos en cuanto a la simplificación del proceso, la reducción de costes y la eliminación de una posible fuente de impurezas en el sistema de crecimiento, especialmente cuando el electrodo de referencia envejece.

• Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
• Subjects:Nuclear energy Molecular dynamics Metals Electrodes Steel Stainless steel
• Palabras claves:sistema de electrodos, configuración de electrodos, configuración particular de electrodos, edad del electrodo de referencia, posible fuente de impurezas, película de cdte, sistema de crecimiento, película fina, resultados, deposición electroquímica
• Keywords:electrode system, electrode configuration, particular electrode configuration, reference electrode age, possible impurity source, film of cdte, growth system, thin film, results, electrochemical deposition