Resumen

Se depositaron películas finas de ZnO sobre electrodos de oro modelados mediante la técnica de espinorrevestimiento sol-gel. Se utilizó un proceso fotolitográfico convencional para obtener los microespacios variables de 30 y 43 μm en topología de mariposa utilizando una máscara de cromo de espacio cero. Las propiedades estructurales, morfológicas y eléctricas de las películas delgadas depositadas se caracterizaron mediante difracción de rayos X (DRX), microscopio electrónico de barrido (MEB) y Keithley SourceMeter, respectivamente. La caracterización corriente-voltaje (I-V) se realizó para investigar el efecto de la luz UV en los dispositivos fabricados. Los sensores fabricados con ZnO mostraron una relación entre corriente fotoeléctrica y corriente oscura (Iph/Id) de 6,26 para 30 μm y 5,28 para 43 μm de separación entre electrodos, respectivamente. Las respuestas dinámicas de ambos sensores fabricados se observaron hasta 1 V con buena reproducibilidad. A la tensión aplicada de 1 V, se observó que el tiempo de respuesta era de 4,817 s y 3,704 s, mientras que el tiempo de recuperación era de 0,3738 s y 0,2891 s para las separaciones de 30 y 43 μm, respectivamente. La detección de la señal a bajos voltajes de funcionamiento sugiere que los sensores fabricados podrían utilizarse para dispositivos miniaturizados con bajo consumo de energía.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:sensores, técnica de gel spin coating, μm gap electrodes spacing, proceso fotolitográfico convencional, películas finas depositadas, gap chrome mask, bajos voltajes de funcionamiento, bajo consumo, zno, voltaje.
• Keywords:sensors, gel spin coating technique, μm gap electrodes spacing, conventional photolithography process, deposited thin films, gap chrome mask, low operating voltages, low power consumption, zno, voltage