Resumen

Proponemos un MOSFET SOI de operación a alta temperatura (HTOT) y mostramos resultados preliminares de simulación de sus características. Se demuestra que el MOSFET SOI HTOT opera de manera segura a 700K sin inestabilidad térmica debido a su brecha de banda efectiva expandida. Se muestra que su voltaje de umbral es mayor que el del MOSFET SOI convencional debido a que sus regiones de Si local delgadas ofrecen una brecha de banda efectiva expandida. Se muestra que el MOSFET SOI HTOT con regiones de Si local delgadas de 1 nm es casi insensible a la temperatura a 427°C. Esto confirma que el MOSFET SOI HTOT es un dispositivo prometedor para futuras aplicaciones a alta temperatura.

• Materias:Circuitos de inductancia Circuitos de oscilador Circuito híbrido Voltaje Universal Sensor termoeléctrico
• Subjects:Inductance circuits Oscillator circuits Hybrid circuit Universal Voltage Thermoelectric sensor
• Palabras claves:Temperatura; MOSFET SOI; HTOT; Brecha de energía; Voltaje umbral; Aplicaciones de alta temperatura
• Keywords:Temperature; SOI MOSFET; HTOT; Bandgap; Threshold voltage; High-temperature applications